IPW60R031CFD7XKSA1
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| Teilenummer | IPW60R031CFD7XKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPW60R031CFD7XKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 21 - Jul 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPW60R031CFD7XKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPW60R031CFD7XKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPW60R031CFD7XKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 63A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 32.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.63mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5623pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie π-MOSVII FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.11Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220SIS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
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