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1EDN7511BXTSA1

1EDN7511BXTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer 1EDN7511BXTSA1
PNEDA Teilenummer 1EDN7511BXTSA1
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
Hersteller Infineon Technologies
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1EDN7511BXTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1EDN7511BXTSA1
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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1EDN7511BXTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieEiceDriver™
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH1.2V, 1.9V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)4A, 8A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketPG-SOT23-6-2

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Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

0V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

LM5114AMFX/S7003103

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.3A, 7.6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

82ns, 12.5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

UCC27710D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 1A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TDA21472AUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Angetriebene Konfiguration

-

Kanaltyp

-

Anzahl der Treiber

-

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

-

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

LTC4442IMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6V ~ 9.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.4A, 2.4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

42V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-EP

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