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AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN

Nur als Referenz

Teilenummer AFGB30T65SQDN
PNEDA Teilenummer AFGB30T65SQDN
Beschreibung 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.492
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AFGB30T65SQDN Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAFGB30T65SQDN
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AFGB30T65SQDN, AFGB30T65SQDN Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 229,53 KB)
PDFAFGB30T65SQDN Datenblatt Cover
AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 2 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 3 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 4 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 5 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 6 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 7 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 8 AFGB30T65SQDN Datenblatt Seite 9

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AFGB30T65SQDN Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Leistung - max220W
Schaltenergie-
Eingabetyp-
Gate Charge56nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.14.5ns/63.2ns
Testbedingung400V, 30A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)245ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK-3 (TO-263-3)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IKZ75N65EL5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™ 5

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

1.57mJ (on), 3.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

436nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

120ns/275ns

Testbedingung

400V, 75A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

59ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/130ns

Testbedingung

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IRGI4085-111PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 28V, 15A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

48ns/180ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

IXGC12N60C

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

85W

Schaltenergie

90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/60ns

Testbedingung

480V, 12A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS220™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

APT25GT120BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

Leistung - max

347W

Schaltenergie

930µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/150ns

Testbedingung

800V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

MT41J512M8RH-093:E

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TVS DIODE 5V 7.7V SOT23-6L

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BLM31PG391SN1L

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FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN

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IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP

LTM8025IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-24V 3A

SML-D12V8WT86

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Rohm Semiconductor

LED RED DIFFUSED 0603 SMD

W25Q64JVSFIQ

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Winbond Electronics

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC

H1102NL

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Pulse Electronics Network

MODULE XFRMR SGL ETHR LAN 16SOIC

LTC4364HS-2#PBF

LTC4364HS-2#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC SURGE STOPPER W/DIODE SMD