BC847BLT1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | BC847BLT1G |
| PNEDA Teilenummer | BC847BLT1G |
| Beschreibung | TRANS NPN 45V 0.1A SOT23 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.168.952 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BC847BLT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BC847BLT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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BC847BLT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 45V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SST3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 32V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 3V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SMT3 |
