CY7C1062DV33-10BGIT
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| Teilenummer | CY7C1062DV33-10BGIT |
| PNEDA Teilenummer | CY7C1062DV33-10BGIT |
| Beschreibung | IC SRAM 16M PARALLEL 119PBGA |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.834 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 23 - Jul 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CY7C1062DV33-10BGIT Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CY7C1062DV33-10BGIT |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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CY7C1062DV33-10BGIT Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 16Mb (512K x 32) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 119-BGA |
| Lieferantengerätepaket | 119-PBGA (14x22) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 2Kb (256 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-PDIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 1Tb (128G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket 132-VBGA (12x18) |
