HGTG18N120BN
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| Teilenummer | HGTG18N120BN |
| PNEDA Teilenummer | HGTG18N120BN |
| Beschreibung | IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTG18N120BN Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTG18N120BN |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTG18N120BN Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 165A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 18A |
| Leistung - max | 390W |
| Schaltenergie | 800µJ (on), 1.8mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 165nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/170ns |
| Testbedingung | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max 235W Schaltenergie 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/275ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 152ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
