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ISL6613CB-T

ISL6613CB-T

Nur als Referenz

Teilenummer ISL6613CB-T
PNEDA Teilenummer ISL6613CB-T
Beschreibung IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 6.282
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ISL6613CB-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerISL6613CB-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
ISL6613CB-T, ISL6613CB-T Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 674,48 KB)
PDFISL6612CRZ-TR5238 Datenblatt Cover
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ISL6613CB-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung10.8V ~ 13.2V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)1.25A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)36V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)26ns, 18ns
Betriebstemperatur0°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Kanaltyp

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Anzahl der Treiber

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N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.5V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

14ns, 12ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

28ns, 32ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

2.3V, -

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

570ns, 430ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IR7106STRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

700V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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