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IXGA20N120A3

IXGA20N120A3 IXGA20N120A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGA20N120A3
PNEDA Teilenummer IXGA20N120A3
Beschreibung IGBT 1200V 40A 180W TO263
Hersteller IXYS
Stückpreis
1 ---------- $48,3107
100 ---------- $46,0461
250 ---------- $43,7815
500 ---------- $41,5170
750 ---------- $39,6298
1.000 ---------- $37,7427
Auf Lager 471
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 31 - Apr 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGA20N120A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGA20N120A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGA20N120A3, IXGA20N120A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 236,19 KB)
PDFIXGH20N120A3 Datenblatt Cover
IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 2 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 3 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 4 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 5 IXGH20N120A3 Datenblatt Seite 6

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IXGA20N120A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max180W
Schaltenergie2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/290ns
Testbedingung960V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (IXGA)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.72V @ 15V, 15A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

129nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

270W

Schaltenergie

450µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/173ns

Testbedingung

400V, 25A, 12Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

HGTG40N60B3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

330A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.05mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

250nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/170ns

Testbedingung

480V, 40A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRG4BC30K-STRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

360µJ (on), 510µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/130ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

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Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

22ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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