N0412N-S19-AY
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| Teilenummer | N0412N-S19-AY |
| PNEDA Teilenummer | N0412N-S19-AY |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 22 - Jul 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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N0412N-S19-AY Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | N0412N-S19-AY |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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N0412N-S19-AY Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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