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NM24C04N

NM24C04N

Nur als Referenz

Teilenummer NM24C04N
PNEDA Teilenummer NM24C04N
Beschreibung IC EEPROM 4K I2C 100KHZ 8DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.110
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NM24C04N Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNM24C04N
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
NM24C04N, NM24C04N Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 104,73 KB)
PDFNM24C04N Datenblatt Cover
NM24C04N Datenblatt Seite 2 NM24C04N Datenblatt Seite 3 NM24C04N Datenblatt Seite 4 NM24C04N Datenblatt Seite 5 NM24C04N Datenblatt Seite 6 NM24C04N Datenblatt Seite 7 NM24C04N Datenblatt Seite 8 NM24C04N Datenblatt Seite 9 NM24C04N Datenblatt Seite 10 NM24C04N Datenblatt Seite 11

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NM24C04N Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz100kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite10ms
Zugriffszeit3.5µs
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Serie

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

8Gb (1G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.5ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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