NTHD4102PT1G
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| Teilenummer | NTHD4102PT1G |
| PNEDA Teilenummer | NTHD4102PT1G |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 730.854 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTHD4102PT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTHD4102PT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTHD4102PT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | ChipFET™ |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 10V Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-EMH |
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