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STD13NM60N

STD13NM60N

Nur als Referenz

Teilenummer STD13NM60N
PNEDA Teilenummer STD13NM60N
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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STD13NM60N Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD13NM60N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD13NM60N, STD13NM60N Datenblatt (Total Pages: 24, Größe: 1.154,84 KB)
PDFSTB13NM60N Datenblatt Cover
STB13NM60N Datenblatt Seite 2 STB13NM60N Datenblatt Seite 3 STB13NM60N Datenblatt Seite 4 STB13NM60N Datenblatt Seite 5 STB13NM60N Datenblatt Seite 6 STB13NM60N Datenblatt Seite 7 STB13NM60N Datenblatt Seite 8 STB13NM60N Datenblatt Seite 9 STB13NM60N Datenblatt Seite 10 STB13NM60N Datenblatt Seite 11

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STD13NM60N Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieMDmesh™ II
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds790pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)90W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1980pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI3460DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

666pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.7W (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

AUIRFS4310ZTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6860pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BSH103,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

850mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

83pF @ 24V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVII

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

450V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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