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TK50E08K3,S1X(S

TK50E08K3,S1X(S

Nur als Referenz

Teilenummer TK50E08K3,S1X(S
PNEDA Teilenummer TK50E08K3-S1X-S
Beschreibung MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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TK50E08K3 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTK50E08K3,S1X(S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
TK50E08K3, TK50E08K3 Datenblatt (Total Pages: 63, Größe: 1.617,96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L Datenblatt Cover
TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 2 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 3 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 4 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 5 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 6 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 7 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 8 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 9 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 10 TPCP8203(TE85L Datenblatt Seite 11

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TK50E08K3 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220-3
Paket / FallTO-220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NCV8440ASTT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

59V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 35V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.69W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

IRL3715ZCSTRLP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7214-75B,118

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2612pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZVP2106ASTZ

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 18V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

Paket / Fall

E-Line-3

IPA60R360P7SXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 140µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

555pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

22W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

AT93C57W-10SC

AT93C57W-10SC

Microchip Technology

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC

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IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

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Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

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NXP

IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC

ABS07-32.768KHZ-T

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Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

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Broadcom

OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 8DIP GW

LTM8025IV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-24V 3A

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Murata

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Winbond Electronics

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Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

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Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 8A 9 MOHM SMD

74AC11MTCX

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ON Semiconductor

IC GATE AND 3CH 3-INP 14TSSOP