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Vishay Semiconductor Diodes Division Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Datensätze 2
Seite 1/1
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
Transistortyp
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
Leistung - max
Frequenz - Übergang
Betriebstemperatur
Montagetyp
Paket / Fall
Lieferantengerätepaket
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division
TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
3.978
-
NPN
200mA
40V
300mV @ 5mA, 50mA
-
100 @ 10mA, 1V
625mW
300MHz
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92
MPSA42PH
Vishay Semiconductor Diodes Division
TRANS NPN 300V 0.5A TO-92
3.564
-
NPN
500mA
300V
500mV @ 2mA, 20mA
100nA (ICBO)
40 @ 30mA, 10V
625mW
50MHz
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3