2N3820 Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
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2N3820
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 20V Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 300mA @ 10V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 8V @ 10µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 10V Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max 360mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
