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2SA1943-O(Q) Datenblatt

2SA1943-O(Q) Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1943-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

230V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PL

Lieferantengerätepaket

TO-3P(L)