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2SJ598(0)-Z-E1-AZ Datenblatt

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Renesas Electronics America
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2SJ598(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

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Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

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Verlustleistung (max.)

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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