5962F1123501QXA Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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5962F1123501QXA
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 83MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 36-CFlatPack Lieferantengerätepaket 36-Ceramic FlatPack |
