86-755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

APT11GP60BDQBG Datenblatt

APT11GP60BDQBG Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 212,91 KB
Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APT11GP60BDQBG
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 1
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 2
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 3
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 4
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 5
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 6
APT11GP60BDQBG Datenblatt Seite 7
APT11GP60BDQBG

Microsemi

APT11GP60BDQBG

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 11A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

46µJ (on), 90µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

40nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7ns/29ns

Testbedingung

400V, 11A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3