+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

APTM120H57FT3G Datenblatt

APTM120H57FT3G Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 299,16 KB
Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APTM120H57FT3G
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 1
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 2
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 3
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 4
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 5
APTM120H57FT3G Datenblatt Seite 6
APTM120H57FT3G

Microsemi

APTM120H57FT3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

187nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5155pF @ 25V

Leistung - max

390W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3