Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

AUIRF3504 Datenblatt

AUIRF3504 Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 223,12 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: AUIRF3504
AUIRF3504 Datenblatt Seite 1
AUIRF3504 Datenblatt Seite 2
AUIRF3504 Datenblatt Seite 3
AUIRF3504 Datenblatt Seite 4
AUIRF3504 Datenblatt Seite 5
AUIRF3504 Datenblatt Seite 6
AUIRF3504 Datenblatt Seite 7
AUIRF3504 Datenblatt Seite 8
AUIRF3504 Datenblatt Seite 9
AUIRF3504 Datenblatt Seite 10
AUIRF3504 Datenblatt Seite 11
AUIRF3504 Datenblatt Seite 12
AUIRF3504

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

87A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

143W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3