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B4S-E3/80 Datenblatt

B4S-E3/80 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: B4S-E3/80, B2S-E3/80, B6S-E3/80
B4S-E3/80 Datenblatt Seite 1
B4S-E3/80 Datenblatt Seite 2
B4S-E3/80 Datenblatt Seite 3
B4S-E3/80 Datenblatt Seite 4
B4S-E3/80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 500mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-269AA, 4-BESOP

Lieferantengerätepaket

TO-269AA (MBS)

B2S-E3/80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 500mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-269AA, 4-BESOP

Lieferantengerätepaket

TO-269AA (MBS)

B6S-E3/80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 500mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-269AA, 4-BESOP

Lieferantengerätepaket

TO-269AA (MBS)