Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9E2R8-60E Datenblatt

BUK9E2R8-60E Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 328,53 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BUK9E2R8-60E,127
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 1
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 2
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 3
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 4
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 5
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 6
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 7
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 8
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 9
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 10
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 11
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 12
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 13
BUK9E2R8-60E Datenblatt Seite 14

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

349W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA