Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt

CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt
Total Pages: 23
Größe: 1.089,12 KB
Cypress Semiconductor
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 1
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 2
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 3
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 4
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 5
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 6
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 7
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 8
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 9
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 10
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 11
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 12
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 13
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 14
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 15
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 16
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 17
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 18
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 19
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 20
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 21
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 22
CY7C1518JV18-300BZXC Datenblatt Seite 23
CY7C1518JV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

CY7C1518JV18-300BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

CY7C1518JV18-250BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

CY7C1520JV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

CY7C1520JV18-300BZC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)