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CYATB108LD-ZS45XI Datenblatt

CYATB108LD-ZS45XI Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: CYATB108LD-ZS45XI
CYATB108LD-ZS45XI Datenblatt Seite 1
CYATB108LD-ZS45XI Datenblatt Seite 2
CYATB108LD-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II