DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 800V Leistung - max 20mW Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
