Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMNH4006SK3-13 Datenblatt

DMNH4006SK3-13 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 471,28 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMNH4006SK3-13
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 1
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 2
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 3
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 4
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 5
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 6
DMNH4006SK3-13 Datenblatt Seite 7
DMNH4006SK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 86A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63