FCH060N80-F155 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FCH060N80-F155
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Hersteller ON Semiconductor Serie SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14685pF @ 100V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads Paket / Fall TO-247-3 |
