Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDB029N06 Datenblatt

FDB029N06 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 673,89 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDB029N06
FDB029N06 Datenblatt Seite 1
FDB029N06 Datenblatt Seite 2
FDB029N06 Datenblatt Seite 3
FDB029N06 Datenblatt Seite 4
FDB029N06 Datenblatt Seite 5
FDB029N06 Datenblatt Seite 6
FDB029N06 Datenblatt Seite 7
FDB029N06 Datenblatt Seite 8
FDB029N06 Datenblatt Seite 9
FDB029N06 Datenblatt Seite 10
FDB029N06

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

151nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9815pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

231W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB