Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDB52N20TM Datenblatt

FDB52N20TM Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 529,19 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDB52N20TM
FDB52N20TM Datenblatt Seite 1
FDB52N20TM Datenblatt Seite 2
FDB52N20TM Datenblatt Seite 3
FDB52N20TM Datenblatt Seite 4
FDB52N20TM Datenblatt Seite 5
FDB52N20TM Datenblatt Seite 6
FDB52N20TM Datenblatt Seite 7
FDB52N20TM Datenblatt Seite 8
FDB52N20TM Datenblatt Seite 9
FDB52N20TM Datenblatt Seite 10
FDB52N20TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

52A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

357W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB