Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDG6303N Datenblatt

FDG6303N Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 266,53 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDG6303N
FDG6303N Datenblatt Seite 1
FDG6303N Datenblatt Seite 2
FDG6303N Datenblatt Seite 3
FDG6303N Datenblatt Seite 4
FDG6303N Datenblatt Seite 5
FDG6303N Datenblatt Seite 6
FDG6303N Datenblatt Seite 7
FDG6303N Datenblatt Seite 8
FDG6303N

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

300mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)