Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDI025N06 Datenblatt

FDI025N06 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 545,21 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDI025N06
FDI025N06 Datenblatt Seite 1
FDI025N06 Datenblatt Seite 2
FDI025N06 Datenblatt Seite 3
FDI025N06 Datenblatt Seite 4
FDI025N06 Datenblatt Seite 5
FDI025N06 Datenblatt Seite 6
FDI025N06 Datenblatt Seite 7
FDI025N06 Datenblatt Seite 8
FDI025N06

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

265A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

226nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14885pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

395W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA