Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDS4501H Datenblatt

FDS4501H Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 1.500,62 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDS4501H
FDS4501H Datenblatt Seite 1
FDS4501H Datenblatt Seite 2
FDS4501H Datenblatt Seite 3
FDS4501H Datenblatt Seite 4
FDS4501H Datenblatt Seite 5
FDS4501H Datenblatt Seite 6
FDS4501H Datenblatt Seite 7
FDS4501H Datenblatt Seite 8
FDS4501H Datenblatt Seite 9
FDS4501H Datenblatt Seite 10
FDS4501H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1958pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC