FDZ3N513ZT Datenblatt
FDZ3N513ZT Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDZ3N513ZT
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 462mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Vgs (Max) +5.5V, -0.3V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 15V FET-Funktion Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 4-WLCSP (0.96x0.96) Paket / Fall 4-UFBGA, WLCSP |
