FJ4B01120L1 Datenblatt
FJ4B01120L1 Datenblatt
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Panasonic Electronic Components
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FJ4B01120L1
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 814pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 370mW (Ta) Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket ULGA004-W-1010-RA01 Paket / Fall 4-XFLGA, CSP |
