Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJB3307DTM Datenblatt

FJB3307DTM Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 320,13 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FJB3307DTM
FJB3307DTM Datenblatt Seite 1
FJB3307DTM Datenblatt Seite 2
FJB3307DTM Datenblatt Seite 3
FJB3307DTM Datenblatt Seite 4
FJB3307DTM Datenblatt Seite 5
FJB3307DTM Datenblatt Seite 6
FJB3307DTM Datenblatt Seite 7
FJB3307DTM Datenblatt Seite 8
FJB3307DTM Datenblatt Seite 9
FJB3307DTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 5A, 5V

Leistung - max

1.72W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK