Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FJV3101RMTF Datenblatt

FJV3101RMTF Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 282,99 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FJV3101RMTF
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 1
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 2
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 3
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 4
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 5
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 6
FJV3101RMTF Datenblatt Seite 7
FJV3101RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)