FMM110-015X2F Datenblatt
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IXYS
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FMM110-015X2F
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Hersteller IXYS Serie GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 53A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8600pF @ 25V Leistung - max 180W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
