FPF2C110BI07AS2 Datenblatt
FPF2C110BI07AS2 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FPF2C110BI07AS2
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Leistung - max 300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 30-DIP Module Lieferantengerätepaket F2 |
