Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQP17N08 Datenblatt

FQP17N08 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 605,88 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FQP17N08
FQP17N08 Datenblatt Seite 1
FQP17N08 Datenblatt Seite 2
FQP17N08 Datenblatt Seite 3
FQP17N08 Datenblatt Seite 4
FQP17N08 Datenblatt Seite 5
FQP17N08 Datenblatt Seite 6
FQP17N08 Datenblatt Seite 7
FQP17N08 Datenblatt Seite 8
FQP17N08

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 8.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

65W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3