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G2SB80-M3/51 Datenblatt

G2SB80-M3/51 Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: G2SB80-M3/51, G2SB60-M3/51, G2SB60-M3/45
G2SB80-M3/51 Datenblatt Seite 1
G2SB80-M3/51 Datenblatt Seite 2
G2SB80-M3/51 Datenblatt Seite 3
G2SB80-M3/51 Datenblatt Seite 4
G2SB80-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 750mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

G2SB60-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 750mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL

G2SB60-M3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 750mA

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBL

Lieferantengerätepaket

GBL