GB05MPS33-263 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GB05MPS33-263
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3300V Current - Average Rectified (Io) 14A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 3V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 3kV Kapazität @ Vr, F. 288pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Lieferantengerätepaket TO-263-7 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
