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GBJ2010-G Datenblatt

GBJ2010-G Datenblatt
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Comchip Technology
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: GBJ2010-G, GBJ2004-G, GBJ20005-G
GBJ2010-G Datenblatt Seite 1
GBJ2010-G Datenblatt Seite 2
GBJ2010-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ

GBJ2004-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ

GBJ20005-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBJ

Lieferantengerätepaket

GBJ