GKI06109 Datenblatt
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Sanken
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GKI06109
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Hersteller Sanken Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 23.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2520pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 59W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
