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HBDM60V600W-7 Datenblatt

HBDM60V600W-7 Datenblatt
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Diodes Incorporated
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HBDM60V600W-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA, 600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363