HGT1S20N36G3VL Datenblatt
HGT1S20N36G3VL Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGT1S20N36G3VL
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 395V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 37.7A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 28.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/15µs Testbedingung 300V, 10A, 25Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) |
