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IPP45P03P4L11AKSA1 Datenblatt

IPP45P03P4L11AKSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: IPP45P03P4L11AKSA1, IPI45P03P4L11AKSA1
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IPP45P03P4L11AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

+5V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

58W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

IPI45P03P4L11AKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.1mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 85µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (Max)

+5V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

58W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO262-3

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA