IPP80N06S3L-08 Datenblatt
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 55µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6475pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 105W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 55µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6475pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 105W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
