IRF6601 Datenblatt
IRF6601 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRF6601
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MT Paket / Fall DirectFET™ Isometric MT |
