Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF7402TR Datenblatt

IRF7402TR Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 136,19 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IRF7402TR
IRF7402TR Datenblatt Seite 1
IRF7402TR Datenblatt Seite 2
IRF7402TR Datenblatt Seite 3
IRF7402TR Datenblatt Seite 4
IRF7402TR Datenblatt Seite 5
IRF7402TR Datenblatt Seite 6
IRF7402TR Datenblatt Seite 7
IRF7402TR Datenblatt Seite 8
IRF7402TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)